对比图
型号 IXFN55N50 IXTN79N20 APL502J
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN55N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 55 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 4.5 VMOSFET N-CH 200V 79A SOT-227Trans MOSFET N-CH 500V 52A 4Pin SOT-227
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Screw Screw
引脚数 3 - 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定功率 600 W 400 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.08 Ω - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 600 W - 568 W
阈值电压 4.5 V - -
漏源极电压(Vds) 500 V 200 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 55.0 A - 52.0 A
上升时间 60 ns - 24 ns
隔离电压 2.50 kV - -
输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) - 9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 625 W - -
下降时间 45 ns - 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 625W (Tc) - 568W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 52.0 A
输入电容 - - 9.00 nF
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
高度 - - 12.24 mm
材质 Silicon - -
重量 46.0 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -