IPP80N06S209AKSA1和IPP80N06S209AKSA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP80N06S209AKSA1 IPP80N06S209AKSA2

描述 TO-220AB N-CH 55V 80A晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 0.0076 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 -

极性 N-CH -

耗散功率 190W (Tc) 190 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A -

上升时间 29 ns 29 ns

输入电容(Ciss) 2360pF @25V(Vds) 2360pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0076 Ω

阈值电压 - 3 V

长度 10 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99

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