71V65803S100BQI和IDT71V65803S100BQ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V65803S100BQI IDT71V65803S100BQ 71V65803S100BQG

描述 静态随机存取存储器 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED 静态随机存取存储器256K ×36 , 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMsZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 165 - 165

封装 CABGA-165 TBGA CABGA-165

存取时间 10 ns - 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V - 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) - - 3.465 V

电源电压(Min) - - 3.135 V

长度 15 mm - 15 mm

宽度 13 mm - 13 mm

高度 1.2 mm - 1.2 mm

封装 CABGA-165 TBGA CABGA-165

厚度 1.20 mm - 1.20 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台