PMBTA64和PMBTA64,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBTA64 PMBTA64,215 PMBTA64TRL

描述 PNP达林顿晶体管 PNP Darlington transistorTO-236AB PNP 30V 0.5ATRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 0.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 20000 @100mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

增益带宽 - 125MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 250 mW -

高度 - 1 mm -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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