2N5667和JANTXV2N5667S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5667 JANTXV2N5667S JANS2N5667

描述 每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-5 TO-205 TO-5

极性 - NPN NPN

耗散功率 1200 mW 1200 mW 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V 300 V

集电极最大允许电流 - 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @1A, 5V 25 @1A, 5V

额定功率(Max) - 1.2 W 1.2 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW 1200 mW

封装 TO-5 TO-205 TO-5

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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