SPW16N50C3和STW20NK50Z

对比图

型号 SPW16N50C3 STW20NK50Z APT28F60B

描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 560 V 500 V 600 V

额定电流 16.0 A 17.0 A 28.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.25 Ω 0.23 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 160 W 190 W 520 W

阈值电压 3 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 560 V 500 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 17.0 A 28.0 A

上升时间 8 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 5575pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 190 W 520 W

下降时间 8 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 190W (Tc) 520W (Tc)

额定功率 - 190 W -

输入电容 - 2600 pF -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 16.13 mm 15.75 mm -

宽度 5.21 mm 5.15 mm -

高度 21.1 mm 20.15 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -