对比图
型号 IRF630SPBF IRFS4127PBF IRF630NSPBF
描述 VISHAY IRF630SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFS4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 VINFINEON IRF630NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 300 mΩ 0.0186 Ω 0.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 375 W 82 W
阈值电压 4 V 5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 72A 9.3A
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 5380pF @50V(Vds) 575pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3000 mW 375W (Tc) 82W (Tc)
额定功率 - 375 W 82 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 200 V -
上升时间 - 18 ns 14 ns
额定功率(Max) - 375 W -
下降时间 - 22 ns 15 ns
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 6.22 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon