对比图
型号 IXSH50N60B IXXH50N60B3
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADInsulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 250000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 250 W 600 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 600000 mW
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free