IPP60R099CP和IPP60R099CPA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R099CP IPP60R099CPA SIHP30N60E-GE3

描述 INFINEON  IPP60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorE系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.09 Ω 99 mΩ 125 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 255 W 255 W 250 W

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A 29A

上升时间 5 ns 5 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 255 W 255 W 250 W

下降时间 5 ns 5 ns 36 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 255 W - 250 W

阈值电压 3 V 3 V -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

长度 10 mm 10 mm 10.51 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.65 mm

高度 15.65 mm 15.65 mm 15.49 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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