对比图
型号 RFD8P06ESM SPD08P06P SUD08P06-155L-E3
描述 8A ， 60V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETsInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 28mohm, Id -8.4A, TO-263, Pd 2W
数据手册 ---
制造商 Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -8.80 A -
通道数 - 1 -
极性 - P-CH P-Channel
耗散功率 - 42W (Tc) 25 W
输入电容 - 420 pF -
栅电荷 - 15.0 nC -
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 8.80 A -8.40 A
上升时间 - 46 ns 14.0 ns
输入电容(Ciss) - 335pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
下降时间 - 14 ns 7 nS
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 42W (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc)
漏源极电阻 - - 0.35 Ω
长度 - 6.5 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.3 mm 2.38 mm
封装 - TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃