CYDM256A16-35BVXC和CYDM256B16-55BVXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM256A16-35BVXC CYDM256B16-55BVXIT CYDMX256B16-65BVXI

描述 1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual-Port Static RAMSRAM Chip Async Dual 1.8V 256Kbit 16K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/R16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM 16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM高速接入 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed access

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片

基础参数对比

引脚数 - 100 -

封装 VFBGA VFBGA-100 VFBGA

位数 - 16 -

存取时间 - 55 ns -

存取时间(Max) - 55 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 VFBGA VFBGA-100 VFBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Sampling

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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