对比图
型号 NJD35N04G NJVNJD35N04G NJD35N04T4G
描述 ON SEMICONDUCTOR NJD35N04G. 双极性晶体管, NPN, 350VNPN达林顿功率晶体管 NPN Darlington Power TransistorNPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 350 V - 350 V
额定电流 4.00 A - 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
针脚数 3 - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 45 W 45 W 45 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
集电极最大允许电流 4A 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 2000 @2A, 2V 2000 @2A, 2V 2000 @2A, 2V
额定功率(Max) 45 W 45 W 45 W
直流电流增益(hFE) 2000 - 2000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 90MHz (Min) 90MHz (Min) 90MHz (Min)
耗散功率(Max) 45 W 45000 mW 45 W
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.38 mm - 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -