IRLR8103VTRLPBF和IRLR8103VTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR8103VTRLPBF IRLR8103VTRPBF

描述 DPAK N-CH 30V 91ADPAK N-CH 30V 91A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 89 W

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 89 W 115 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 91A 91A

上升时间 9 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W

下降时间 18 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 115W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 10.5 mΩ -

漏源击穿电压 30 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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