BC848B-7-F和BC848BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848B-7-F BC848BWT1G BC849BLT3

描述 DIODES INC.  BC848B-7-F  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFEON SEMICONDUCTOR  BC848BWT1G  晶体管 双极-射频, NPN, 30 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 100 MHz -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 450 - -

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 330 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 150 mW -

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

长度 3.05 mm 2.2 mm -

宽度 1.4 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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