对比图
型号 APT8014JLL STE45NK80ZD IXFN44N80
描述 SOT-227 N-CH 800V 42AN沟道800V - 0.11ohm - 45一ISOTOP超级FREDMesh MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Screw Screw Chassis
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227-4
引脚数 4 - 3
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 42.0 A 45.0 A -
漏源极电阻 - 130 mΩ 165 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 595 W 600W (Tc) 700 W
输入电容 7.24 nF 26.0 nF -
栅电荷 285 nC 781 nC -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 - 800 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 42.0 A 45.0 A 44.0 A
上升时间 19 ns 128 ns 48 ns
输入电容(Ciss) 7238pF @25V(Vds) 26000pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 595 W 600 W -
耗散功率(Max) 595W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc)
下降时间 15 ns - 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 - - 700 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4.5 V
工作结温(Max) - - 150 ℃
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
重量 - - 0.000036 kg
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99