JANTX1N6122US和JANTXV1N6122US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N6122US JANTXV1N6122US JAN1N6122US

描述 E-MELF 35.8V 500WE-MELF 35.8V 500WTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 35.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SQ-MELF E-MELF -

最大反向电压(Vrrm) 35.8V 35.8V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 32.47 V - -

封装 SQ-MELF E-MELF -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Contains Lead - -

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