对比图
型号 IXFH96N20P IXTQ96N20P IXTQ102N20T
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 200V 96ATO-3P N-CH 200V 102A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 600 W 600 W 750W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 96A - 102A
输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 750W (Tc)
上升时间 30 ns 30 ns -
额定功率(Max) 600 W 600 W -
下降时间 30 ns 30 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.024 Ω - -
阈值电压 5 V - -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active End of Life
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free