IXDI609SIATR和IXDI509SIAT/R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI609SIATR IXDI509SIAT/R IXDI509SIA

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9ADriver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/RIC GATE DRIVER SGL 9A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

上升/下降时间 22ns, 15ns 25ns, 23ns 25ns, 23ns

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 30V

输出接口数 1 1 -

上升时间 22 ns 45 ns -

下降时间 15 ns 40 ns -

下降时间(Max) 25 ns 40 ns -

上升时间(Max) 35 ns 45 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

输出电流 2 A - -

电源电压(Max) 35 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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