对比图
型号 BD13510STU BD135G BD135
描述 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR BD135G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 25 hFE 新NPN 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
频率 - - 50 MHz
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 250 - 250
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
直流电流增益(hFE) - 250 250
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 12.5 W 1250 mW 1250 mW
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -
额定电流 1.50 A 1.50 A -
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -
热阻 - 10℃/W (RθJC) -
长度 8.3 mm 7.8 mm 7.8 mm
宽度 3.45 mm 2.66 mm 2.7 mm
高度 11.2 mm 11.04 mm 10.8 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR