71V424S10YG和IDT71V424S10YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V424S10YG IDT71V424S10YG IDT71V424S10Y

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36Pin SOJ Tube3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 512K ×8位) 3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 512K ×8位) 3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-36 BSOJ-36 BSOJ-36

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 36 - -

电源电压 3V ~ 3.6V 3.3 V 3V ~ 3.6V

供电电流 180 mA - -

存取时间 10 ns - -

存取时间(Max) 10 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 BSOJ-36 BSOJ-36 BSOJ-36

长度 23.4 mm - -

宽度 10.2 mm - -

高度 2.2 mm - -

厚度 2.20 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 3A991

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