IXFH120N20P和IXTQ120N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH120N20P IXTQ120N20P IXTK120N20P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin(3+Tab) TO-3PTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-264-3

引脚数 3 3 -

耗散功率 714 W 714 W 714W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 714 W

耗散功率(Max) 714000 mW 714W (Tc) 714W (Tc)

上升时间 35 ns 35 ns -

下降时间 31 ns 31 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.022 Ω - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 5 V - -

连续漏极电流(Ids) 120 A - -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-264-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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