对比图
型号 IPD90N06S4L03ATMA1 IPD90N06S4L03ATMA2
描述 DPAK N-CH 60V 90A晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 90A 90A
输入电容(Ciss) 13000pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150000 mW
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0027 Ω
阈值电压 - 1.7 V
上升时间 - 6 ns
下降时间 - 20 ns
高度 2.41 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅