对比图
型号 CY7C25632KV18-500BZC CY7C25632KV18-500BZXC
描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODTCY7C25632 72 Mb (4M x 18) 1.8 V 0.45ns 双端口 同步 SRAM - FBGA-165 托盘
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 LBGA-165
位数 18 18
存取时间 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V -
时钟频率 - 500 MHz
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a