对比图
型号 BCR555 UNR221W
描述 PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar type
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Panasonic (松下)
分类
封装 - Mini3-G1
极性 - NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA
封装 - Mini3-G1
产品生命周期 Unknown Obsolete
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - -