VND810PTR-E和VND810TR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND810PTR-E VND810TR-E

描述 VND810P-E 系列 36 V 表面贴装 双通道 高压侧 驱动器 - SOIC-16IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

引脚数 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

安装方式 Surface Mount -

输出接口数 2 2

供电电流 - 0.012 mA

耗散功率 8.3 W 8300 mW

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A

输出电流(Min) - 5 A

耗散功率(Max) 8300 mW 8300 mW

输出电流 5 A -

输入数 2 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 13 V -

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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