70T3339S133BFI和IDT70T3339S133BFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3339S133BFI IDT70T3339S133BFI 70T3339S133BFGI

描述 512K x 18 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sHIGH -SPEED 2.5V二百五十六分之五百一十二/ 128K ×18同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE静态随机存取存储器 512K X 18 DP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 - 208

封装 LFBGA-208 LFBGA CABGA-208

电源电压 2.4V ~ 2.6V - 2.4V ~ 2.6V

存取时间 - - 4.2 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

长度 15.0 mm - 15 mm

宽度 15.0 mm - 15 mm

封装 LFBGA-208 LFBGA CABGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

高度 - - 1.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube, Rail Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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