对比图
型号 BUK7613-60E SUM50N06-16L-E3 IRFZ44VZSPBF
描述 NXP BUK7613-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 60 V, 0.00944 ohm, 10 V, 3 VVISHAY SUM50N06-16L-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 VN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-263 TO-263-3
额定功率 - - 92 W
漏源极电阻 0.00944 Ω 0.013 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 96 W 3.7 W 92 W
阈值电压 3 V 2 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 57A
上升时间 - 9 ns 62 ns
输入电容(Ciss) - - 1690pF @25V(Vds)
下降时间 - 7 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 92W (Tc)
针脚数 3 3 -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 TO-263 TO-263 TO-263-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown - Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -