K6T0808C1D-GL70和M5M5256DFP-70LL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K6T0808C1D-GL70 M5M5256DFP-70LL K6T0808C1D-GB70

描述 512Kbit SRAM 70ns 28-SOP - K6T0808C1D-GL70262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM512Kbit SRAM 70ns 28-SOP - K6T0808C1D-GB70

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Renesas Electronics (瑞萨电子) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

封装 SOP SOP DIP

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

封装 SOP SOP DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

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