IXTT26N50P和IXTV26N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTT26N50P IXTV26N50P IXFV26N50PS

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-220-3 PLUS-220

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 26.0 A 26.0 A

耗散功率 400 W 460W (Tc) 400 W

输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF

栅电荷 - 65.0 nC 60.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 26.0 A 26.0 A

输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 400W (Tc) 460W (Tc) 400W (Tc)

漏源极电阻 230 mΩ - 230 mΩ

极性 - - N-Channel

阈值电压 5.5 V - 5.5 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

反向恢复时间 - - 200 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

上升时间 25 ns - -

额定功率(Max) 400 W - -

下降时间 20 ns - -

封装 TO-268-3 TO-220-3 PLUS-220

长度 14 mm - -

宽度 16.05 mm - -

高度 5.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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