对比图
型号 IRHF7230 JANSH2N7262 JANSR2N7262
描述 TO-39 N-CH 200V 5.5ATO-39 N-CH 200V 5.5APower Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-205 TO-39 TO-205
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 5.5A 5.5A -
上升时间 - 40 ns -
下降时间 - 45 ns -
输入电容(Ciss) - - 1100pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 25000 mW
封装 TO-205 TO-39 TO-205
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant