对比图
型号 NSBC144EPDXV6T1G PEMD12,315 NSBC144EPDXV6T5G
描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsSOT-666 NPN+PNP 50V 100mASOT-563 NPN+PNP 50V 100mA
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN+PNP
耗散功率 0.5 W 0.3 W 357 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 80 - 80
额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW
长度 1.6 mm - 1.6 mm
宽度 1.2 mm - 1.2 mm
高度 0.55 mm 0.6 mm 0.55 mm
封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99