IXTQ52N30P和IXTT50N30

对比图

型号 IXTQ52N30P IXTT50N30 IXTA50N28T

描述 N沟道 300V 52ATrans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin(2+Tab) TO-268N-CH 280V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 TO-3-3 TO-268-3 D2PAK

引脚数 3 - -

封装 TO-3-3 TO-268-3 D2PAK

长度 15.8 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 20.3 mm - -

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

通道数 1 - -

漏源极电阻 66 mΩ - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 400 W - -

漏源极电压(Vds) 300 V - 280 V

漏源击穿电压 300 V - -

连续漏极电流(Ids) 52A - 50A

上升时间 22 ns - -

输入电容(Ciss) 3490pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 400 W - -

下降时间 20 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 400W (Tc) - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -