71V016SA12YGI8和IDT71V016SA12YI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V016SA12YGI8 IDT71V016SA12YI8 71V016SA12YGI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ T/R3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 44 - 44

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

供电电流 - - 160 mA

存取时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 28.6 mm - 28.6 mm

宽度 10.2 mm - 10.2 mm

高度 - - 2.9 mm

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

厚度 2.90 mm - 2.90 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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