对比图
型号 PH9030L,115 RJK0305DPB-00#J0 HAT2168H-EL-E
描述 LFPAK N-CH 30V 63ATrans MOSFET N-CH 30V 30A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 Power-SO8 SOT-669 SOT-669
引脚数 - - 5
极性 N-CH - -
耗散功率 62.5 W 45 W 15W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 63A 30.0 A 55.0 A
输入电容(Ciss) 1565pF @12V(Vds) 1250pF @10V(Vds) 1730pF @10V(Vds)
耗散功率(Max) 62.5W (Tc) - 15W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 30.0 A 30.0 A
输入电容 - 1.25 nF 5.18 nF
额定功率(Max) - 45 W 15 W
栅电荷 - - 33.0 nC
上升时间 - - 20 ns
下降时间 - - 4 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 Power-SO8 SOT-669 SOT-669
高度 - - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free