FDN358P和TSM2314CX RFG

对比图

型号 FDN358P TSM2314CX RFG

描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN358P, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor### MOSFET 晶体管，Taiwan Semiconductor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

通道数 - -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.2 Ω 0.027 Ω

极性 - -

耗散功率 560 mW 1.25 W

输入电容 - -

栅电荷 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) - -

上升时间 13 ns 1.4 ns

输入电容(Ciss) 182pF @15V(Vds) 900pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW -

下降时间 2 ns 5.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 1.25 W

阈值电压 1.9 V 850 mV

长度 2.92 mm 3.1 mm

宽度 1.4 mm 1.7 mm

高度 0.94 mm 1.2 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 - -

香港进出口证 - -