IS43LR32100C-6BL-TR和IS43LR32100D-6BL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32100C-6BL-TR IS43LR32100D-6BL-TR

描述 动态随机存取存储器 32Mb (1M x 32) MDDR 1.8v 166MHz32m, 1.8V, Mobile Ddr, 1mx32, 166MHz, 90 Ball Bga (8mmx13mm) Rohs, t&r

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

存取时间 6 ns 5.5 ns

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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