DS90LV017ATM和DS90LV017ATM/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS90LV017ATM DS90LV017ATM/NOPB ADN4661BRZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  DS90LV017ATM.  驱动器, LVDS, 单路高速, LVDS差分驱动器, 1.5 ns, 10 mA, -40 °C, 85 °C, 3 VTEXAS INSTRUMENTS  DS90LV017ATM/NOPB  芯片, 驱动器, LVDSANALOG DEVICES  ADN4661BRZ  驱动器, LVDS, 差分, 10 mA, -40 °C, 85 °C, 3 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 LVDS、M-LVDS、ECL、CMLLVDS、M-LVDS、ECL、CML接口芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装(公制) - - SOIC

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.30 V, 3.30 V (max) 3.30 V, 3.30 V (max) 3.00V (min)

供电电流 7.00 mA 10.0 mA 7.00 mA

针脚数 8 8 8

耗散功率 1190 W 1.19 W 23 W

数据速率 600 Mbps 600 Mbps 600 Mbps

输出电压(Max) - 450 mV 0.45 V

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1190 mW 1190 mW 23 mW

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

通道数 1 1 -

功耗 17.0 W 17.0 W -

输入电压(Max) - 2 V -

输入电压(Min) - 0.8 V -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.45 mm 1.5 mm

封装(公制) - - SOIC

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 5A991.b.1 - 5A991.b.4

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