FOD817CS和FOD817C.S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FOD817CS FOD817C.S FOD817CSD

描述 光耦合器,晶体管输出,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, LEAD FREE, DIP-4FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FOD817CSD  光电耦合器, 晶体管输出, 1通道, 表面安装DIP, 4 引脚, 50 mA, 5 kV, 200 %

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 PDIP-4 - DIP-4

上升/下降时间 4µs, 3µs - 4µs, 3µs

输入电压(DC) 1.20 V - 1.20 V

输出电压 70 V - 70.0 V

电路数 1 - 1

通道数 1 - 1

针脚数 4 - 4

正向电压 1.2 V - 1.2 V

输入电流 50.0 mA - 50.0 mA

耗散功率 0.2 W - 0.2 W

上升时间 18000 ns - 4 µs

隔离电压 5000 Vrms - 5000 Vrms

正向电流 50 mA - 50 mA

输出电压(Max) 70 V - 70 V

输入电流(Min) 50 mA - 50 mA

击穿电压 6 V - 6 V

正向电压(Max) 1.4 V - 1.4 V

正向电流(Max) 50 mA - 50 mA

下降时间 18000 ns - 3 µs

下降时间(Max) 18 µs - 18 µs

上升时间(Max) 18 µs - 18 µs

工作温度(Max) 110 ℃ - 110 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 70 V - -

宽度 7 mm - 7 mm

高度 4 mm - 4 mm

封装 PDIP-4 - DIP-4

工作温度 -55℃ ~ 110℃ - -55℃ ~ 110℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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