对比图
型号 STF24N60M2 STF24NM60N STFI24N60M2
描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STF24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.168 Ω 0.168 Ω -
耗散功率 30 W 30 W 30 W
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 9 ns 16.5 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 1060pF @100V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1060pF @100V(Vds)
下降时间 15 ns 37 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
极性 - N-Channel -
漏源击穿电压 - 600 V -
额定功率(Max) - 30 W -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.4 mm 16.4 mm 10.85 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -