对比图
型号 CSD10060A IDH12SG60C IDH06SG60C
描述 Diode Schottky 600V 16.5A 2Pin(2+Tab) TO-220INFINEON IDH12SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
数据手册 ---
制造商 CREE (美国科锐) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 10.0 A - -
电容 550 pF - -
输出电流 ≤10.0 A - -
正向电压 1.8V @10A 2.1V @12A 2.3V @6A
极性 Standard - -
反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns
正向电压(Max) 1.8V @10A 2.2 V 2.3 V
正向电流(Max) 16.5 A 12 A 6 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 136300 mW 125000 mW -
额定功率 - 125 W 71 W
负载电流 - 12 A 6 A
热阻 - 1.2℃/W (RθJC) -
正向电流 - 12 A 6 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 59 A 32 A
工作结温(Max) - 175 ℃ 175 ℃
耗散功率 - - 71 W
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
长度 - 10.2 mm 9.9 mm
宽度 - 4.5 mm 4.4 mm
高度 - 9.45 mm 9.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR NLR