JAN1N5518B-1和JANTX1N5518B-1

对比图

型号 JAN1N5518B-1 JANTX1N5518B-1 1N5518B

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 3.3V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-7, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204AH DO-35-2 -

引脚数 - 2 -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

耗散功率 - 417 mW -

测试电流 - 20 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-204AH DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -