BUK98150-55和PHT6N06LT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK98150-55 PHT6N06LT PHT6N06TT/R

描述 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FETTrenchMOS transistor Logic level FETPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Philips (飞利浦) Nexperia (安世)

分类

基础参数对比

封装 SC-73 - -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 55 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.5A - -

封装 SC-73 - -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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