对比图
型号 IRG4PF50W SKP10N60 HGTG30N60B3
描述 Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin(3+Tab) TO-247ACTrans IGBT Chip N-CH 600V 21A 3Pin (3+Tab) TO-220ABFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247 TO-220 TO-247-3
额定电压(DC) 900 V - 600 V
额定电流 51.0 A - 60.0 A
针脚数 - - 3
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - - 208 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
额定功率(Max) - - 208 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW - 208 W
额定功率 200 W - -
产品系列 IRG4PF50W - -
输入电容 3.30 nF - -
上升时间 26.0 ns - -
长度 - - 15.87 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 - - 20.82 mm
封装 TO-247 TO-220 TO-247-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99