SST4118-T1-E3和BSR57,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST4118-T1-E3 BSR57,215 MMBF4118

描述 JFET N-CH 70V 80uA SOT-23N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

击穿电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 3pF @10V(Vds) - 3pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW 250 mW 225 mW

额定电压(DC) - - -40.0 V

额定电流 - - 280 mA

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 250 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) - 40 V 40.0 V

栅源击穿电压 - - 40 V

连续漏极电流(Ids) - - 50.0 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

漏源极电阻 - 40 Ω -

耗散功率(Max) - 250 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1 mm 0.93 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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