12F80和PBY276

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 12F80 PBY276 1N3671A

描述 标准恢复二极管(梭哈版) ,12为 Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 ASilicon-Power RectifiersDiode Switching 800V 12A 2Pin DO-4

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor GeneSiC Semiconductor

分类 TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 - - Chassis

引脚数 - - 2

封装 DO-4 DO-4 DO-4

正向电压 1.26 V - 1.1V @12A

正向电流 - - 12 A

正向电压(Max) - - 1.1 V

正向电流(Max) - - 12 A

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

额定电流 12.0 A - -

封装 DO-4 DO-4 DO-4

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - 150 ℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - 无铅

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 8541100080

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