对比图
描述 650V CFD的CoolMOS功率晶体管 650V CoolMOS CFD Power TransistorInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 I2PAK-3 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-CH
阈值电压 4 V -
漏源极电压(Vds) 650 V 700 V
连续漏极电流(Ids) 6A 6A
上升时间 8 ns 8 ns
下降时间 10 ns 10 ns
耗散功率 - 62.5 W
输入电容(Ciss) - 615pF @100V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 62.5 W
长度 10.2 mm 10.36 mm
宽度 4.5 mm 4.57 mm
高度 9.45 mm 15.95 mm
封装 I2PAK-3 TO-220-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃