199D475X0035C1V1E3和199D475X0035C2A1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D475X0035C1V1E3 199D475X0035C2A1E3 TD4.7M35

描述 VISHAY  199D475X0035C1V1E3  钽电容, 4.7uF, 35V, 径向引线CAP TANT 4.7uF 35V 20% RADIALNTE ELECTRONICS  TD4.7M35  钽电容, 4.7MF 35V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics

分类 钽电容电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 - - N/R

引脚间距 2.54 mm - 2.54 mm

引脚数 2 - -

额定电压(DC) 35.0 V - 35.0 V

电容 4.7 µF 4.70 µF 4.7 µF

容差 ±20 % ±20 % ±20 %

产品系列 - - TD

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压 35 V 35 V 35 V

高度 9.14 mm - 10.5 mm

直径 - - Φ5.5mm

封装 - - N/R

引脚间距 2.54 mm - 2.54 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

HTS代码 - - 85322100407

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