2MBI100VA-120-50和SKM100GB125DN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2MBI100VA-120-50 SKM100GB125DN 2MBI100S-120-50

描述 FUJI ELECTRIC  2MBI100VA-120-50  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM100GB125DN  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, ModuleFUJI ELECTRIC  2MBI100S-120-50  晶体管, IGBT阵列&模块, 2件, N沟道, 150 A, 2.6 V, 780 W, 1.2 kV, Module

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Semikron (赛米控) FUJI (富士电机)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Panel Screw Screw

引脚数 7 7 7

封装 Module Semitrans2-93 Module

针脚数 7 7 7

极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 555 W - 780 W

上升时间 350 ns - 350 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 555 W - -

隔离电压 - - 2.50 kV

热阻 - 0.18K/W (RθJC) -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

长度 94 mm 94.5 mm -

宽度 34 mm 34.5 mm -

高度 30 mm 30.5 mm -

封装 Module Semitrans2-93 Module

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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