对比图
型号 IRLL2703 IRLL2703TRPBF IRLL2703PBF
描述 SOT-223 N-CH 30V 5.5A晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.045 ohm, 10 V, 2.4 VN 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 45.0 mΩ 70 mΩ 0.045 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 1W (Ta) 2.1 W 2.1 W
阈值电压 - 2.4 V 2.4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 3.90 A 5.5A 5.5A
上升时间 24.0 ns 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W -
下降时间 - 14 ns 14 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
额定功率 - - 2.1 W
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 3.90 A - -
正向电压 1.00 V - -
产品系列 IRLL2703 - -
长度 - 6.5 mm 6.7 mm
宽度 - 3.5 mm 3.7 mm
高度 - 1.6 mm 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17