对比图
型号 IXFH15N100Q3 IXFT15N100 IXFT15N100Q3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-268 N-CH 1000V 15AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-268-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 690 W - 690 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 15A 15A 15A
上升时间 10 ns 30 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 3250pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 30 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 690W (Tc) 360000 mW 690W (Tc)
输入电容 3250 pF - -
额定功率(Max) 690 W - -
长度 16.26 mm - 16.05 mm
宽度 5.3 mm - 14 mm
高度 16.26 mm - 5.1 mm
封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free